宽禁带化合物半导体材料与器件(第二版)--聚文网

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内容简介

全书共10章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍 SiC、 GaN、ZnO和Ga2O3的研究现状。

第1章绪论 1.1 宽带隙半导体概念 1.2 常见宽禁带化合物半导体思考题参考文献第2章化合物半导体材料基础 2.1 半导体 2.2 半导体材料的分类 2.2.1 元素半导体 2.2.2 化合物半导体 2.2.3 半导体固溶体 2.3 化合物半导体的特性 2.3.1 化合物半导体的晶体结构和化合键 2.3.2 化合物半导体的能带结构思考题参考文献第3章固化合物半导体中的缺陷 3.1 缺陷理论基础 3.1.1 点缺陷的分类 3.1.2 点缺陷的符号表示方法 3.1.3 点缺陷在半导体中的施主或受主作用及它们的能级位置 3.2 ZnO中的杂质与缺陷 3.2.1 ZnO中的本征点缺陷 3.2.2 ZnO中绿色发光起源 3.2.3 ZnO中的故意掺杂思考题参考文献第4章宽带隙半导体发光 4.1 半导体中的光跃迁 4.1.1 半导体吸收跃迁 4.1.2 半导体中的带间跃迁辐射复合发光 4.2 激子 4.3 半导体发光光谱和辐射复合 4.4 激子复合 4.5 深能级中心相关的发光跃迁 4.6 时间分辨发光光谱 4.7 宽带隙半导体材料发光研究实例思考题参考文献第5章 pn结 5.1 同质结 5.1.1 热平衡状态下的pn结 5.1.2 pn结的伏安特性 5.2 异质结 5.2.1 异质结的能带图 5.2.2 异型异质结的电学特性思考题参考文献第6章超晶格与量子阱 6.1 超晶格和量子阱发展概况

宽禁带化合物半导体材料与器件(第二版)

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