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CMOS模拟集成电路基础(电子科学与技术高等学校电子信息类专业系列教材)

CMOS模拟集成电路基础(电子科学与技术高等学校电子信息类专业系列教材)

  • 字数: 593
  • 出版社: 清华大学
  • 作者: 编者:王永生|责编:盛东亮//钟志芳
  • 商品条码: 9787302568513
  • 版次: 1
  • 开本: 16开
  • 页数: 377
  • 出版年份: 2021
  • 印次: 1
定价:¥69 销售价:登录后查看价格  ¥{{selectedSku?.salePrice}} 
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精选
内容简介
本书阐述CMOS集成电路 分析与设计的相关知识,主 要介绍CMOS模拟集成电路 设计的背景、MOS器件物理 及建模等相关知识;分析电 流源、电流镜和基准源,以 及共源极、共漏极、共栅极 和共源共栅极等基本放大器 的结构、原理、分析与设计 技术;然后分析电路的频率 、噪声等特性,并进一步讨 论运算放大器、反馈结构及 其稳定性和频率补偿;最后 讨论与CMOS模拟集成电路 相关的版图设计技术。 本书可作为高等院校电 子信息类微电子及集成电路 专业本科生和研究生教材, 也可作为相关领域工程师的 参考用书。
作者简介
王永生,毕业于哈尔滨工业大学,获得微电子学与固体电子学专业博士学位。现任哈尔滨工业大学航天学院副教授,从事数/模混合信号集成电路、系统芯片(SoC)及可测试性/可靠性设计的教学及科研工作。先后承担和参与了十余项国家、省部级等科研项目,主要承担SoC及IP模块设计、可测试设计及混合信号IP标准制定等相关工作;开发了多款高速及高精度模/数转换器芯片以及混合信号SoC!芯片。在模/数转换器设计、混合信号soc等方面发表了四十余篇学术论文;申请了十余项发明专利。
目录
第1章 绪论 1.1 模拟电路与数字电路 1.2 电路抽象层次 1.3 模拟集成电路设计 1.4 符号标记法 1.5 本章小结 第2章 MOSFET器件及模型 2.1 引言 2.2 MOSFET器件结构 2.2.1 MOSFET器件 2.2.2 CMOS 2.3 MOSFET器件I/V特性 2.3.1 工作区 2.3.2 输出特性和转移特性 2.3.3 沟道长度调制效应 2.3.4 体效应 2.3.5 亚阈值导通效应 2.4 MOSFET器件模型 2.4.1 MOSFET器件的大信号模型 2.4.2 MOSFET器件的小信号模型 2.4.3 MOSFET器件的噪声模型 2.4.4 MOSFET器件的SPICE模型 2.5 本章小结 习题 第3章 CMOS电流源与电流镜 3.1 引言 3.2 MOSFET电流源 3.2.1 简单电流源 3.2.2 共源共栅电流源 3.3 MOS电流镜 3.3.1 基本电流镜 3.3.2 共源共栅电流镜 3.3.3 大摆幅的共源共栅电流镜 3.3.4 威尔逊电流镜 3.4 本章小结 习题 第4章 基准源 4.1 引言 4.2 电压基准源 4.2.1 分压型电压基准源 4.2.2 有源电压基准源 4.2.3 带隙基准源 4.3 电流基准源 4.3.1 基于电流镜的简单基准源 4.3.2 与电源无关的电流基准源 4.3.3 PTAT电流基准源 4.4 本章小结 习题 第5章 CMOS单级放大器 5.1 引言

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