高k栅介质材料与器件集成

本书旨在向材料及微电子集成相关专业的高年级本科生、研究生及从事材料与器件集成行业的科研人员介绍栅介质材料制备与相关器件集成的专业技术。本书共10章，包括了集成电路的发展趋势及后摩尔时代的器件挑战，栅介质材料的基本概念及物理知识储备，栅介质材料的基本制备技术及表征方法； 着重介绍了栅介质材料在不同器件中的集成应用，如高κ与金属栅、场效应晶体管器件、薄膜晶体管器件、存储器件及神经形态器件等。本书包含栅介质材料的基本制备技术，同时突出了栅介质材料在器件应用中的先进性和前沿性，反映了后摩尔时代器件集成的**研究进展，是理论与实践应用的有机结合。

何刚, 1997～2001 安徽大学物理系电子材料与元器件专业 (本科)， 2001～2006 中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所(硕博连读) ， 2007～2009 日本东京大学工学部应用化学系，日本学术振兴会(JSPS)博士后研究员， 2009～2011 日本国家物质材料研究所先进电子材料研究中心高级研究员， 2011～现在 安徽大学材料科学与工程学院教授，安徽省“皖江学者”特聘教授，博导；曾主编英文专著\"High-k gate dielectric for CMOS technology (wiley-vch)\"。

第1章 绪论 1.1 引言 1.2 集成电路发展及趋势 1.2.1 集成电路的介绍 1.2.2 集成电路的现状 1.2.3 集成电路的发展趋势 1.2.4 我国集成电路产业前景展望 1.3 后摩尔时代新材料、新技术及新挑战 1.3.1 工艺新材料 1.3.2 新器件结构 1.3.3 工艺新技术 1.3.4 后摩尔时代集成电路展望与挑战 课后习题 参考文献 第2章 高κ栅介质的物理基础 2.1 高κ栅介质的基本概念及优势 2.1.1 高κ栅介质的引入 2.1.2 高κ栅介质的优势 2.2 高κ栅介质的结构调控及理论机制 2.2.1 高κ栅介质的MOS电容结构 2.2.2 高κ栅介质的理论机制 2.3 高κ栅介质的选择要求 2.4 高κ栅介质的分类及特点 2.4.1 硅的氮（氧）化物及其特点 2.4.2 ⅢA族金属氧化物 2.4.3 ⅣB族和ⅤB族过渡金属氧化物 2.4.4 ⅢB族稀土金属氧化物 2.5 高κ栅介质面临的问题和挑战 课后习题 参考文献 第3章 高κ栅介质的制备及表征 3.1 高κ栅介质材料的制备 3.1.1 真空蒸镀法 3.1.2 磁控溅射法 3.1.3 原子层沉积法 3.1.4 分子束外延法 3.1.5 脉冲激光沉积法 3.1.6 溶液基制备方法 3.2 高κ柵介质性能的表征 3.2.1 光学性能的表征 3.2.2 热重性能的表征 3.2.3 结晶性能的表征 3.2.4 化学局域态的表征 3.2.5 表面形貌的表征 3.2.6 界面微结构的表征 3.2.7 润湿性能的表征 课后习题 参考文献 第4章 稀土基高κ栅介质及MOS器件集成 4.1 稀土简介